低压化学气相沉积镀膜设备LPCVD

低压化学气相沉积镀膜设备LPCVD

功能介绍

在低压氛围下，通过热分解的方式成膜。可制备氧化硅和多种晶硅薄膜，满足隧穿氧化钝化等特殊工序要求，可用于高效N型TOPCon和BC等电池。

参数配置

平均开机率95%
炉管内径 430 – 480mm
单管载片量2400 – 2800 片/管, 双插
硅片尺寸可兼容182 – 230各种硅片尺寸
成膜均匀性片内与片间≤ 4%；批次间≤ 3%
温度范围400 – 750 °C

技术特点

成熟工艺，高良品率，匹配复制简单
单双插的数据指标同样优秀
独创四分热场，搭载ATS系统控温更精准
多路进气设计，均匀性更佳
石英管纳米镀层技术延长使用寿命
石英管去金属化运行，提高稳定性
全自动智能化控制系统
加大泵管径，增加抽速和减少维护频次
一键式温度自整功能，减少调试时间

镀膜效果

检测数据