原子层沉积镀膜系统ALD

原子层沉积镀膜系统ALD

功能介绍

通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器，使其在沉积基体上吸附并反应形成沉积膜，适用于TOPCon等电池应用。

参数配置

平均开机率＞99%
内腔尺寸550*420mm
双舟载片量3284/3712片
硅片尺寸兼容182-230各种尺寸硅片
均匀性片内≤4%，片间≤4%，批间≤4%
温度控制150-350℃
配置设备兼容单插双插

技术特点

左右单边机可独立运行；开机率高
硅片尺寸升级改造简化
整机高度适中，结构简单，方便操作，大幅缩减维护时间
内外腔双层密封，保证密封性和镀膜均匀性
特气管路流量计精准控制，工艺气体耗量小

ALD常规氧化铝上舟膜厚

ALD常规氧化铝下舟膜厚