等离子体增强化学气相沉积设备PECVD

等离子体增强化学气相沉积设备PECVD

功能介绍

采用高温放电的方式使气体电离成等离子体反应沉积成膜。可以制备碳化硅/氮化硅/氮氧化硅/氧化铝等多种薄膜。适用于PERC，PERT，TOPCon和BC等电池应用。

参数配置

平均开机率98%
炉管内径430mm/450mm
单管载片量504~768片/管
硅片尺寸可兼容182-230各种硅片尺寸
成膜均匀性片内&片间 ≤4%;批间 ≤3%
恒温区精度350-600°C±1°C
极限真空≤1Pa

技术特点

快速降温系统，提升产出
一拖一推舟结构稳定性好，效率高
热场均匀性好、电场稳定性高
双层水冷法兰提高密封性以及密封圈寿命
维护便利性:石英管、电极快拆便利性
双舟承载，功率更均匀，镀膜更均匀

PECVD均匀性